隨著集成度的提高，要求元器件尺寸不斷減小，1985年，1MB的VLSI集成度達到 200萬個元器件，元器件條寬僅為1μm; 1992年，16MB的芯片，集成度達到3200萬個元器件，條寬減到0.5 μm ，即500nm;而后的64MB芯片，其條寬已達0.3 μm ，即 300nm;目前巳制作出了1GB的ULSI芯片，條寬只有約0.1μm，即100nm，單個芯片集 成了10億只晶體管。雖然微處理器性能的改進仍將繼續(xù)保持高速度，但這樣一種穩(wěn)定的進展隨著微細加工的極限的到來而會受阻。從物理角度度看，在1.0μm 時，晶體管是非常理想的開關，但在0.1 μm 時，開關特性就變得不理想了。到了 0.05 μm 時開關特性就已消失了，而且，就目前的加工制造工藝來看，也可以證明是難以實現的。另一方面，使晶體管及其布線變得極小的一個復雜問題在由于量子效應開始干擾其功能，單個電子的位置 變得難以規(guī)定，因此邏輯元件保存其數值0或1的可靠程度降低了。可見，從失去開關特性或邏輯功能的意義上講，目前可以認為晶體管的極限是0.05 μm 。為了超越這個極限， 必然要進人納米尺度下的各種研究領域，微細加工技術也要走進納米加工工藝。一般來說，將尺度在0.1?100nm范圍的空間定義為納米空間。在納米空間電子的波動性質將以 明顯的優(yōu)勢顯示出來。視電子為粒子的微電子技術將失去賴以工作的基礎，于是納米電子學應運而生。

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